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三星正研發160層3D閃存 制造工藝或將大幅改善

2020年4月20日 08:03  集微網  

日前,有消息稱,繼去年推出的136層第六代V-NAND閃存后,三星目前正在研發160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。

據了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。

考慮到三星在NAND閃存行業占據了超過1/3的份額,實力是最強的,不出意外160+層堆棧的閃存應該也會是他們首發,繼續保持閃存技術上的優勢,拉開與對手的差距。

就在上周,我國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術,QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創造了三個世界第一。此外,SK Hynix在去年也已宣布正在研發176層堆棧的4D閃存;不過他們家的閃存結構甚至命名都跟其他廠商有所不同,不能單看層數高低。

編 輯:值班記者
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